MT53E256M16D1FW-046 WT:B
| Номер детали производителя | MT53E256M16D1FW-046 WT:B |
|---|---|
| производитель | Micron Technology Inc. |
| Подробное описание | LPDDR4 4G 256MX16 FBGA |
| Упаковка | 200-TFBGA (10x14.5) |
| В наличии | 12690 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 1360 |
|---|
| $2.854 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Micron Technology Inc..У нас есть кусочки 12690 Micron Technology Inc. MT53E256M16D1FW-046 WT:B в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Время цикла записи - слово, страница | 18ns |
| Напряжение тока - поставка | 1.06V ~ 1.17V |
| Технологии | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
| Поставщик Упаковка устройства | 200-TFBGA (10x14.5) |
| Серии | - |
| Упаковка / | 200-TFBGA |
| Упаковка | Box |
| Рабочая Температура | -30°C ~ 85°C (TC) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Тип памяти | Volatile |
| Размер памяти | 4Gbit |
| Организация памяти | 256M x 16 |
| Интерфейс памяти | Parallel |
| Формат памяти | DRAM |
| Тактовая частота | 2.133 GHz |
| Время доступа | 3.5 ns |
Рекомендуемые продукты
-
MT53E256M32D2DS-046 IT:B
IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGAMicron Technology Inc. -
MT53E256M16D1FW-046 AIT:B TR
IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ FBGAMicron Technology Inc. -
MT53E256M16D1FW-046 AUT:B TR
LPDDR4 4G 256MX16 FBGAMicron Technology Inc. -
MT53E256M16D1FW-046 AAT:B TR
LPDDR4 4G 256MX16 FBGAMicron Technology Inc. -
MT53E256M16D1DS-046 AIT:B TR
IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ WFBGAMicron Technology Inc. -
MT53E256M16D1FW-046 WT:B TR
LPDDR4 4G 256MX16 FBGAMicron Technology Inc. -
MT53E256M32D2DS-046 AIT:B
IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGAMicron Technology Inc. -
MT53E256M16D1DS-046 WT:B
IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ WFBGAMicron Technology Inc. -
MT53E256M32D2DS-046 AUT:B
IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGAMicron Technology Inc. -
MT53E256M16D1FW-046 AUT:B
LPDDR4 4G 256MX16 FBGAMicron Technology Inc. -
MT53E256M16D1FW-046 AAT:B
LPDDR4 4G 256MX16 FBGAMicron Technology Inc. -
MT53E256M16D1DS-046 AIT:B
IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ WFBGAMicron Technology Inc. -
MT53E256M32D2DS-046 WT:B
IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGAMicron Technology Inc. -
MT53E256M16D1FW-046 AIT:B
IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ FBGAMicron Technology Inc. -
MT53E256M32D2DS-046 AUT:B TR
IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGAMicron Technology Inc. -
MT53E256M32D2DS-046 AIT:B TR
IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGAMicron Technology Inc. -
MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR
IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGAMicron Technology Inc. -
MT53E256M32D2DS-046 AAT:B
IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGAMicron Technology Inc. -
MT53E256M32D2DS-046 IT:B TR
IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGAMicron Technology Inc. -
MT53E256M16D1DS-046 WT:B TR
IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ WFBGAMicron Technology Inc.